卓立漢光邀您：共同探究半導體材料的光譜測試！

以氧化鋅（ZnO）等為代表的第三代半導體材料是近年來迅速發(fā)展起來的新型半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優(yōu)點，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，正在成為半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。 

ZnO具有激子束縛能高、可見光透過率高、紫外吸收強等特點，同時擁有壓電、熱電等特性，是一種*的第三代半導體材料。ZnO半導體材料的研究吸引了*科學家的關(guān)注，已成為當前科研的前沿熱點之一。經(jīng)過十多年持續(xù)的攻關(guān)研究，人們對ZnO半導體的光、電、磁及壓電等特性的理解和研究不斷深入。ZnO半導體在太陽能電池、發(fā)電機、傳感器、探測器、發(fā)光二管和激光器等領(lǐng)域的應用成果不斷涌現(xiàn)，特別是ZnO透明導電膜、薄膜晶體管等方面的大規(guī)模工業(yè)應用已迅速展開。目前，ZnO的研究已進入功能擴展與綜合利用的新階段，有著巨大的潛在應用前景。 

全國氧化鋅學術(shù)會議是由中國物理學會發(fā)光分會主辦的專注ZnO科學研究進展交流的全國性重要會議，每兩年舉辦一次。第八屆全國氧化鋅學術(shù)會議擬定于2017年10月29-31日在南寧市相思湖大酒店召開，本屆會議由北京科技大學、廣西大學和廣西光學學會聯(lián)合承辦。本屆會議旨在集中展示我國ZnO研究領(lǐng)域取得的科研成果，為相關(guān)科技工作者提供一個學術(shù)和技術(shù)交流的平臺，共同研討ZnO研究中存在的基本科學和技術(shù)問題，探尋解決途徑，大力推動我國在ZnO相關(guān)物理問題和器件應用方面的研究。

卓立漢光歡迎海內(nèi)外從事ZnO研究的大咖與我們共同探究半導體材料的奧秘！同時，歡迎參加第八屆全國氧化鋅學術(shù)會的朋友們，現(xiàn)場了解我司光譜產(chǎn)品在ZnO領(lǐng)域的應用！